功能描述：MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：75W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：800

BUZ12A

BUZ15

BUZ171

BUZ172

BUZ173

BUZ20

BUZ205

BUZ206

BUZ21

BUZ213